晶体管类型:NPN,PNP
电流-集电极(Ic)(最大值):200mA
电压-集射极击穿(最大值):40V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):100mV @ 5mA,50mA / 200mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 100mA,1V / 150 @ 10mA,1V
功率-最大值:150mW
频率-跃迁:300MHz
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs